Деннард, Роберт

Роберт Деннард
англ. Robert H. Dennard
Дата рождения	5 сентября 1932(1932-09-05)[1]
Место рождения	Террелл, Кофмен, Техас, США
Дата смерти	23 апреля 2024(2024-04-23)[2] (91 год)
Место смерти	Кротон-он-Хадсон, Уэстчестер, Нью-Йорк, США
Страна	США
Род деятельности	изобретатель, специалист в области информатики, инженер-электрик, инженер
Научная сфера	электротехника
Место работы	IBM
Альма-матер	Университет Карнеги — Меллона
Учёная степень	Ph.D.
Известен как	изобретатель DRAM и закона масштабирования
Награды и премии	Награда Института инженеров электротехники и электроники имени Кледо Брунетти (1982) стипендиат IBM Национальная медаль США в области технологий и инноваций (1988) медаль Эдисона (2001) премия Харви (1990) Медаль почёта IEEE (2009) Национальный зал славы изобретателей США (1997) премия Чарльза Старка Дрейпера (2009) премия Киото в области передовых технологий (2013) Премия Лемельсона (2005) премия Института промышленных исследований за выдающиеся достижения (1990) NAS Award for the Industrial Application of Science (2017)

Роберт Деннард (род. 5 сентября 1932 г.) — американский инженер-электрик и изобретатель.

Деннард родился в Террелле, штат Техас, США. Он получил степени бакалавра и магистра электротехники в Южном методистском университете Далласа в 1954 и 1956 годах соответственно. Получил степень доктора в Технологическом институте Карнеги в Питтсбурге штат Пенсильвания в 1958 году. Являлся научным сотрудником International Business Machines.

Самое известное его изобретение было сделано в 1968 году — это изобретение динамической памяти с произвольным доступом (DRAM). Деннард также был в числе первых, кто признал огромный потенциал МОП-структур. В 1974 году Робертом Деннардом и его коллегами по IBM была разработана объясняющая закон Мура теория масштабирования (Dennard’s Scaling Theory). Работая над полевыми транзисторами MOSFET и структурами MOS, Деннард вывел условие, необходимое для соблюдения закона Мура. Суть открытия в том, что если удерживать постоянным значение напряженности электрического поля при уменьшении размеров транзистора, то параметры производительности улучшаются. В процессе исследований Деннарда удалось показать, что МОП-структуры имеют огромный потенциал для миниатюризации.

• Национальная медаль США в области технологий и инноваций (1988)
• Премия Харви (1990)
• Медаль Эдисона (2001)
• Премия Лемельсона (2005)
• C&C Prize (2006)
• Медаль Бенджамина Франклина (2007)
• Медаль почёта IEEE (2009)
• Премия Чарльза Старка Дрейпера (2009)
• Премия Киото (2013)

• Закон масштабирования Деннарда // «Открытые системы», № 02, 2012
• Robert Dennard, Inventor of the Week (Archive), MIT.
• Robert H Dennard, Legacies (Bio), IEEE.