Жуков, Алексей Евгеньевич

Алексей Евгеньевич Жуков
Дата рождения	9 февраля 1968(1968-02-09) (57 лет)
Место рождения	Ленинград
Страна	СССР→ Россия
Род деятельности	учёный
Научная сфера	физика полупроводников
Место работы	Физико-технический институт имени А. Ф. Иоффе РАН
Альма-матер	Ленинградский электротехнический институт
Учёная степень	доктор физико-математических наук (2002)
Учёное звание	профессор член-корреспондент РАН (2008)
Награды и премии

Алексе́й Евге́ньевич Жу́ков (род. 9 февраля 1968, Ленинград) — российский специалист в области полупроводниковых наноструктур и электронных приборов на их основе, член-корреспондент РАН (2008).

Родился в 1968 году в Ленинграде.

В старших классах обучался в ФМШ-239^[2]. После школы поступил на факультет электронной техники Ленинградского электротехнического института (ЛЭТИ, ныне — Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет). Несмотря на то, что его учёба прерывалась призывом на два года в армию^[2], в 1992 г. с отличием окончил ЛЭТИ по кафедре оптоэлектроники, базовой для ФТИ им. Иоффе.

В 1996 году — защитил кандидатскую диссертацию, тема: «Квантово-размерные напряженные гетероструктуры в системе (In,Ga,Al)As: Технология получения методом молекулярно-пучковой эпитаксии и исследование свойств».

В 2002 году — защитил докторскую диссертацию, тема: «Инжекционные лазеры на основе самоорганизующихся квантовых точек».

В 2008 году — избран членом-корреспондентом РАН по Отделению нанотехнологий и информационных технологий.

Трудовая и преподавательская деятельность^[3]

• Ведущий научный сотрудник Физико-технического института имени А. Ф. Иоффе РАН.
• Заведующий кафедрой Фотоники СПбАУ РАН.
• Профессор кафедры «Физика и технология наноструктур» Санкт-Петербургского политехнического университета Петра Великого.
• Профессор кафедры «Оптоэлектроника» Санкт-Петербургского государственного электротехнического университета «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина).

Область научных интересов: физика полупроводников, эпитаксиальное выращивание полупроводниковых соединений, низкоразмерные гетероструктуры, полупроводниковые лазеры

Основные научные результаты:

• разработчик воспроизводимой технологии синтеза многослойных массивов полупроводниковых квантовых точек, которая позволяет управлять их структурными и оптическими свойствами и расширять спектральный диапазон излучения в область лазерной оптической связи;
• развил теорию лазеров на основе многослойных массивов квантовых точек и установил взаимосвязь электронных и структурных параметров массива квантовых точек с приборными характеристиками лазеров, объяснил эффекты отрицательной характеристической температуры и индуцированного током перехода к генерации через возбужденное состояние;
• разработал высокоэффективные низкопороговые температурно-стабильные инжекционные лазеры на основе самоорганизующихся квантовых точек для систем оптической передачи информации, решил проблему надежности подобных лазеров.

Автор более 300 опубликованных работ.

Под его руководством защищены 2 кандидатских и 1 докторская диссертации.

• Премия имени А. Ф. Иоффе Правительства Санкт-Петербурга (2017) - за выдающиеся научные результаты в области оптических микрорезонаторов и микролазеров на основе квантовых точек для нового поколения оптической связи, внесшие значительный вклад в развитие физики полупроводниковых наноструктур и техники полупроводниковых лазеров^[4]
• Благодарность Президента Российской Федерации (5 февраля 2024 года) — за заслуги в развитии отечественной науки, многолетнюю плодотворную деятельность и в связи с 300-летием со дня основания Российской академии наук^[5]

• Жуков, Алексей Евгеньевич на официальном сайте РАН
• Жуков, Алексей Евгеньевич на математическом портале Math-Net.Ru