Лебедев, Александр Александрович (физик)

Александр Александрович Лебедев
Дата рождения 10 марта 1959(1959-03-10) (66 лет)
Страна  СССР→ Россия
Род деятельности физик
Научная сфера физика полупроводников
Место работы ФТИ РАН,
СПбГЭТУ
Альма-матер ЛЭТИ
Учёная степень доктор физико-математических наук
Учёное звание профессор

Алекса́ндр Алекса́ндрович Ле́бедев (род. 1959, СССР) — советский и российский физик-экспериментатор. Специализируется на изучении физических свойств карбида кремния и других широкозонных полупроводников, разрабатывает приборы на основе таких материалов. Автор более 300 научных трудов по данной тематике. В настоящее время заведует лабораторией и Отделением в Физико-техническом институте им. А. Ф. Иоффе РАН, гор. Санкт-Петербург. Доктор физико-математических наук, профессор.

Биография, карьера

Родился в 1959 году. Сын и полный тёзка Александра Александровича Лебедева (1929—1999), физика, доктора наук, всю жизнь проработавшего в ФТИ. Мать Лебедева-младшего, Майя Августовна Якобсон (1929—2003), — кандидат наук, также сотрудница ФТИ. Дед по отцу, Александр Алексеевич (1893–1969), — учёный-оптик, сотрудник ГОИ, академик АН СССР[1].

По окончании обучения в ЛЭТИ принят на работу в ФТИ в лабораторию, возглавлявшуюся тогда В. Е. Челноковым. Появился в институте ещё студентом (как практикант в лаборатории И. В. Грехова). В свои первые трудовые годы активно взаимодействовал с отцом, вместе они опубликовали несколько статей. В Физтехе Лебедев прошёл все ступени служебной лестницы от старшего лаборанта до заведующего лабораторией и одновременно Отделением твердотельной электроники. Стал доктором физико-математических наук[2].

Параллельно с научной работой, преподавал в СПбГЭТУ[3]. Сейчас занимает там должность профессора кафедры оптоэлектроники.

В 2019 году был одним из трёх претендентов на пост директора ФТИ РАН[2].

Лауреат премии Правительства Санкт-Петербурга за выдающиеся научные результаты в области науки и техники в 2020 году: в номинации физика и астрономия — премия им. А. Ф. Иоффе (Постановление Правительства Санкт-Петербурга от 21.12.2020 № 1115) за исследование электрофизических свойств карбида кремния и разработку приборов на его основе[4].

Научная деятельность

Лебедев — специалист в области физики, технологии и приборных применений широкозонных полупроводников, в первую очередь карбида кремния. При его участии[2]:

  • разработана технология эпитаксии слоёв SiС с заданными параметрами, при этом впервые для исследования широкозонных полупроводников применён метод нестационарной ёмкостной спектроскопии;
  • доказана возможность работы приборов на основе SiC при температурах свыше 800 0C и уровнях излучения на два порядка больших, чем предельные значения для кремниевых приборов с теми же рабочими параметрами;
  • создан новый тип гетеропереходов — между двумя кристаллическими модификациями одного и того же полупроводникового материала;
  • предложена технология формирования графена термодеструкцией поверхности SiC, исследованы свойства полученных плёнок и изготовлены газовые и био- сенсоры на их основе.

Автор более 300 публикаций, в том числе монографии и 6 авторских свидетельств и патентов[5].

В сотрудничестве лаборатории Лебедева с ПАО «Светлана-Электронприбор» разработана и внедрена технология изготовления высокочастотных SiC p-i-n диодов, а также организовано производство монокристаллов SiC.

Преподавание, оргработа

Подготовил пятерых кандидатов наук.

Входит в состав двух диссертационных советов, является членом редколлегий журналов ФТТ и «Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования»[6].

Член научного совета РАН «Радиационная физика твердого тела» с 2020 года[7]. Эксперт фонда РНФ, был координатором секции «физика и науки о космосе» в 2021–2023 гг.

Член программного комитета международной конференции по физике SiC и родственных материалов (ICSCRM)[8].

Примечания

  1. ↑ Из истории ФТИ им. Иоффе. Выпуск 2. Памяти А. А. Лебедева (к 80-летию со дня рождения) Архивная копия от 16 июня 2018 на Wayback Machine. — СПб.: ФТИ, 2009. — 72 с., ISBN 978-5-93634-049-9. — см. на стр. 18, 21, 67, 70.
  2. 1 2 3 Информация Архивная копия от 1 мая 2019 на Wayback Machine о выборах директора ФТИ: сведения о претендентах.
  3. ↑ Информация о преподавательской должности А. А. Лебедева в СПбГЭУ Архивная копия от 13 января 2021 на Wayback Machine
  4. ↑ Санкт-Петербургские ведомости. — 2020. — 23 дек.
  5. ↑ Список публикаций А. А. Лебедева и данные об их цитируемости на сайте Elibrary
  6. ↑ См. информацию о составах редколлегии ФТТ и в редколлегии журнала «Поверхность...» Архивная копия от 25 апреля 2025 на Wayback Machine.
  7. ↑ Cм. состав научного совета РАН, в который входит А. А. Лебедев.
  8. ↑ См. состав Архивная копия от 26 апреля 2025 на Wayback Machine программного комитета International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM).

Источники и ссылки

Эта статья взята у (из) Wikipedia. Текст лицензируется по Creative Commons - Attribution - Sharealike. К медиа файлам могут применятся дополнительные условия.