Рашба, Эммануил Иосифович

Эммануил Иосифович Рашба
Дата рождения	30 октября 1927(1927-10-30)
Место рождения	Киев, Украинская ССР, СССР
Дата смерти	12 января 2025(2025-01-12)[1] (97 лет)
Страна	СССР  Украина
Род деятельности	физик, физик-теоретик
Научная сфера	теоретическая физика
Место работы	Институт теоретической физики имени Л. Д. Ландау РАН
Альма-матер	Киевский университет
Учёная степень	доктор физико-математических наук (1964)
Учёное звание	профессор (1967)
Известен как	первооткрыватель эффекта Рашбы
Награды и премии	Премия имени А. Ф. Иоффе (1987)

Эммануил Иосифович Рашба (30 октября 1927, Киев — 12 января 2025, Бруклайн, Массачусетс, США) — советский и американский физик-теоретик, доктор физико-математических наук (1964), чьи работы оказали значительное влияние на развитие теории твёрдого тела, полупроводников и спинтроники^[2]. Лауреат Ленинской премии 1966 года, премии имени А. Ф. Иоффе (1987) и премии Оливера Бакли (2022) Американского физического общества^[3][4].

Окончил физический факультет Киевского университета (1949). В 1949—1954 годах работал инженером и учителем в школе.

В 1954—1960 годах научный сотрудник в Институте физики АН УССР, с 1956 года кандидат наук^[2]. В 1960—1966 годах зав. отделом в Институте полупроводников АН УССР. В 1966—1992 годах — заведующий теоретическим отделением отдела полупроводников Института теоретической физики имени Л. Д. Ландау^[2]. Одновременно в 1967—91 годах профессор МФТИ.

Доктор физико-математических наук (1963)^[2], профессор (1967).

Проводил научные исследования по феноменологической теории полупроводников и полупроводниковых приборов, резонансным свойствам полупроводников, оптическим свойствам молекулярных кристаллов. Предсказал резонансный эффект, состоящий в возбуждении спиновых переходов ВЧ электрическим полем, установил возможность существования нового типа зонной структуры полупроводников. Автор работ по спектроскопии молекулярных кристаллов.

С 1991 года жил в США, где стал профессором Гарвардского университета^[2], член Американского физического общества.

Вместе с К. Б. Толпыго он разработал теорию переноса носителей тока в полупроводниках, что привело к важному результату — установлению закона, описывающего вольтамперные характеристики диодов и p-n-переходов при больших напряжениях (известного как закон Рашбы — Толпыго — Носаря)^[2].

Одним из ключевых достижений Рашбы стало решение проблемы аномальных спектральных полос поглощения. Он разработал теорию слабо связанных локализованных экситонов, которая объяснила эти явления. Позже, в Институте физики полупроводников, он продолжил исследования экситонов Ванье — Мотта, что привело к открытию эффекта, названного в его честь — эффекта Рашбы. Этот эффект заключается в гигантском увеличении силы осциллятора в спектроскопии кристаллов^[2].

Рашба также внес значительный вклад в изучение спин-орбитального взаимодействия в полупроводниках. Он впервые ввел и обосновал член гамильтониана, описывающий это взаимодействие, линейный по волновому вектору. Это позволило предсказать новый тип резонанса — комбинированный резонанс, который возникает под действием электрического поля и приводит к перевороту спина. Эти работы были высоко оценены Л. Д. Ландау и стали основой для дальнейших исследований в области спинтроники^[2].

• Ленинская премия (в составе группы, за 1966 год) — за теоретические и экспериментальные исследования экситонов в кристаллах^[2].
• Премия имени А. Ф. Иоффе (совместно с Г. Е. Пикусом, за 1987 год) — за серию работ «Симметрия и новые электронные явления в полупроводниках»^[2].
• Премия НАН Украины им. С. И. Пекара (2007) «за выдающиеся достижения в области теории твердого тела»^[2].
• Присуждена премия им. Оливера Бакли по физике конденсированного состояния (2022 Oliver E. Buckley Condensed Matter Physics Prize), 2022 г.

• Эффект Рашбы — Эдельштейна

• Рашба, Эммануил Иосифович на официальном сайте РАН
• Рашба Эммануил Иосифович — статья из Российской еврейской энциклопедии