Диосмийтригерманий
| Диосмийтригерманий | |
|---|---|
| Общие | |
| Систематическое наименование |
Диосмийтригерманий |
| Традиционные названия | Тригерманийдиосмий |
| Хим. формула | Ge3Os2 |
| Рац. формула | Os2Ge3 |
| Физические свойства | |
| Состояние | кристаллы |
| Молярная масса | 598,38 г/моль |
| Плотность | 12,8 г/см³ |
| Классификация | |
| Рег. номер CAS | 12382-74-0 |
| PubChem | 71351949 |
| SMILES | |
| InChI | |
| Приведены данные для стандартных условий (25 °C, 100 кПа), если не указано иное. | |
Диосмийтригерманий — бинарное неорганическое соединение, интерметаллид осмия и германия с формулой Ge3Os2, кристаллы.
Получение
- Сплавление стехиометрических количеств чистых веществ:
Физические свойства
Диосмийтригерманий образует кристаллы ромбической сингонии, пространственная группа P bcn, параметры ячейки a = 1,1544 нм, b = 0,9281 нм, c = 0,5783 нм, Z = 8, структура типа трисилицида дирутения Ru3Si2 [1][2][3][4].
Проявляет полупроводниковые свойства [5].
Примечания
- ↑ Диаграммы состояния двойных металлических систем / Под ред. Н. П. Лякишева. — М.: Металлургия, 1997. — Т. 2. — 1024 с. — ISBN 5-217-01569-1.
- ↑ D. J. Poutcharovsky, E. Parthé. The orthorhombic crystal structure of Ru2Si3, Ru2Ge3, Os2Si3 and Os2Ge3 // Acta Crystallographica Section B. — 1974. — Т. B30, № 11. — С. 2692-2696. — doi:10.1107/S0567740874007825.
- ↑ B. Predel. Ge-Os (Germanium-Osmium) // Landolt-Börnstein - Group IV Physical Chemistry. — 1996. — Т. 5f. — С. 1. — doi:10.1007/10501684_1489.
- ↑ B. Predel. Ge - Os (Germanium - Osmium) // Landolt-Börnstein - Group IV Physical Chemistry. — 2013. — С. 144. — doi:10.1007/978-3-642-24778-1_93.
- ↑ Nader M. Elmarhoumi. Novel Semi-Conductor Material Systems: Molecular Beam Epitaxial Growth and Characterization // Dissertation Prepared for the Degree of «Doctor of Philosophy (Physics)». — 2013. — С. 138. Архивировано 4 марта 2016 года.