Арсенид индия
| Арсенид индия | |
|---|---|
 | |
| Общие | |
| Хим. формула | InAs |
| Физические свойства | |
| Молярная масса | 189,74 г/моль |
| Плотность | 5,68 г/см³ |
| Термические свойства | |
| Температура | |
| • плавления | 942 °C |
| Структура | |
| Кристаллическая структура |
кубическая, структура сфалерита a = 0,60584 нм |
| Классификация | |
| Рег. номер CAS | 1303-11-3 |
| PubChem | 91500 |
| Рег. номер EINECS | 215-115-3 |
| SMILES | |
| InChI | |
| ChemSpider | 82621 |
| Безопасность | |
| NFPA 704 | |
| Приведены данные для стандартных условий (25 °C, 100 кПа), если не указано иное. | |
 Медиафайлы на Викискладе | |
Арсени́д и́ндия, — бинарное неорганическое соединение индия и мышьяка. Химическая формула соединения InAs.
Кристаллизуется в структуре типа сфалерита.
Является прямозонным полупроводником, относящимся к полупроводникам группы AIIIBV. При 300 К имеет ширину запрещённой зоны около 0,35 эВ.
Применяется для изготовления сверхвысокочастотных транзисторов, а также светодиодов и фотодиодов, работающих в инфракрасной области электромагнитного излучения, датчиков Холла магнитного поля, для организации ансамблей квантовых точек в некоторых полупроводниковых приборах.
Ввиду низкой ширины запрещённой зоны большинство полупроводниковых приборов, изготовленных из этого материала, работают только при криогенных или очень низких температурах.