Силицид дирения
| Силицид дирения | |
|---|---|
| Общие | |
| Систематическое наименование |
Силицид дирения |
| Традиционные названия | Кремнистый рений |
| Хим. формула | Re2Si |
| Физические свойства | |
| Состояние | кристаллы |
| Молярная масса | 400,50 г/моль |
| Плотность | 15,9 г/см³ |
| Термические свойства | |
| Температура | |
| • плавления | 1810; 1960 °C |
| Энтальпия | |
| • образования | -68 [1] кДж/моль |
| Классификация | |
| Рег. номер CAS | 12384-85-9 |
| Приведены данные для стандартных условий (25 °C, 100 кПа), если не указано иное. | |
Силицид дирения — неорганическое соединение рения и кремния с формулой Re2Si, кристаллы.
Получение
- Нагревание стехиометрических количеств чистых веществ:
Физические свойства
Силицид дирения образует кристаллы моноклинной сингонии, пространственная группа P 21/b, параметры ячейки a = 0,64444 нм, b = 0,53898 нм, c = 0,96019 нм, β = 94,215°, Z = 4, [2][3][4][5].
Соединение образуется по перитектической реакции при температуре 1960°С[2] (1810°С[4]).
При температуре 3,8 К соединение переходит в сверхпроводящее состояние [5]
Примечания
- ↑ Guosheng Shao. Thermodynamic analysis of the Re–Si system // Intermetallics. — 2001. — Т. 9, № 12. — С. 1063-1068. — doi:10.1016/S0966-9795(01)00110-8.
- 1 2 Диаграммы состояния двойных металлических систем / Под ред. Н. П. Лякишева. — М.: Машиностроение, 2000. — Т. 3 Книга 2. — 448 с. — ISBN 5-217-02932-3.
- ↑ B. Predel. Re-Si (Rhenium-Silicon) // Landolt-Börnstein - Group IV Physical Chemistry. — 1998. — Т. 5J. — С. 1-2. — doi:10.1007/10551312_2592.
- 1 2 A. B. Gokhale, R. Abbaschian. The Re-Si system (rhenium-silicon) // Journal of Phase Equilibria. — 1996. — Т. 17, № 5. — С. 451-454. — doi:10.1007/BF02667640.
- 1 2 T. Siegrist, J.E. Greedan, J.D. Garrett, Gong Wenhe, C.V. Stager. Crystal structure and superconductivity in Re2Si // Journal of the Less Common Metals. — 1991. — Т. 171, № 2. — С. 171–177. — doi:10.1016/0022-5088(91)90140-Y.